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IS62WV51216BLL-55BLI

IS62WV51216BLL-55BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA


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### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


立创商城:
IS62WV51216BLL 55BLI


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静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA


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IS62WV51216BLL-55BLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 5 mA

位数 16

存取时间 55 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

长度 8.8 mm

宽度 7.2 mm

高度 0.9 mm

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS62WV51216BLL-55BLI引脚图与封装图
IS62WV51216BLL-55BLI引脚图

IS62WV51216BLL-55BLI引脚图

IS62WV51216BLL-55BLI封装焊盘图

IS62WV51216BLL-55BLI封装焊盘图

在线购买IS62WV51216BLL-55BLI
型号 制造商 描述 购买
IS62WV51216BLL-55BLI Integrated Silicon SolutionISSI 静态 RAM,ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器) 搜索库存
替代型号IS62WV51216BLL-55BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS62WV51216BLL-55BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: Mini-BGA 8000000B 3.3V 55ns

当前型号

静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

当前型号

型号: IS62WV51216BLL-55BI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 48-TFBGA 3.3V

完全替代

静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器

IS62WV51216BLL-55BLI和IS62WV51216BLL-55BI的区别

型号: IS62WV51216BLL-55BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 8000000B 3.3V 55ns

完全替代

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48Pin Mini-BGA T/R

IS62WV51216BLL-55BLI和IS62WV51216BLL-55BLI-TR的区别