IS43R86400D-6TL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66Pin TSOP II 400 mil RoHS, T&R

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 66-TSOP II

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

贸泽:
DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5v

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R

IS43R86400D-6TL-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43R86400D-6TL-TR引脚图与封装图

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IS43R86400D-6TL-TR	Integrated Silicon SolutionISSI	512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66Pin TSOP II 400 mil RoHS, T&R	搜索库存