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IS43R16160D-6BL

IS43R16160D-6BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

256m, 2.5V, Ddr, 16mx16, 166MHz, 60 Ball Bga 8mmx13mm Rohs

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166 MHz 700 ps 60-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


贸泽:
DRAM 256M 16Mx16 166MHz 2.5v DDR SDRAM


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA


IS43R16160D-6BL中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R16160D-6BL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43R16160D-6BL Integrated Silicon SolutionISSI 256m, 2.5V, Ddr, 16mx16, 166MHz, 60 Ball Bga 8mmx13mm Rohs 搜索库存