IS61WV5128BLL-10TLI
数据手册.pdfRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
静态 RAM，ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
### SRAM（静态随机存取存储器）
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
欧时:
ISSI,IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4M,512K x8
立创商城:
IS61WV5128BLL-10TLI 工业级 工业级
e络盟:
SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.4V 至 3.6V, TSOP-II, 44 引脚, 10 ns
艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP32; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
