IS43R16160D-5TL

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II

IS43R16160D-5TL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 330 mA

位数 16

存取时间 5 ns

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R16160D-5TL引脚图与封装图

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替代型号IS43R16160D-5TL

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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