IS42S16100C1-7BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60Pin TFBGA

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

IS42S16100C1-7BLI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 143MHz max

位数 16

存取时间 7.00 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16100C1-7BLI引脚图与封装图

IS42S16100C1-7BLI引脚图

IS42S16100C1-7BLI封装图

IS42S16100C1-7BLI封装焊盘图

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