IS41C16256C-35TLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 5V 40Pin TSOP-II T/R

DRAM - EDO Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 18ns 40-TSOP

得捷:
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

贸泽:
DRAM 4M, 5V, EDO DRAM Async,256Kx16,35ns

艾睿:
DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 5V 40-Pin TSOP-II T/R

IS41C16256C-35TLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 35 ns

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 40

封装 TSOP-40

外形尺寸

封装 TSOP-40

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS41C16256C-35TLI-TR引脚图与封装图

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