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IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS

PSRAM Pseudo SRAM Memory IC 32Mb 2M x 16 Parallel 70ns 48-TFBGA 6x8


得捷:
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA


立创商城:
IS66WVE2M16EALL 70BLI TR


贸泽:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS


艾睿:
PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA


IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS 搜索库存