IS43DR16320D-3DBL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA 8x12.5

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

IS43DR16320D-3DBL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 230 mA

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16320D-3DBL引脚图与封装图

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IS43DR16320D-3DBL	Integrated Silicon SolutionISSI	512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS	搜索库存