IS61LV25616AL-10TLI
数据手册.pdfRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
静态 RAM，ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
欧时:
ISSI IS61LV25616AL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 256K 个字 x 16 位, 3.135 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
立创商城:
IS61LV25616AL-10TLI
贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SRAM; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
