电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TFBGA-48
封装 TFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS61LV25616AL-10BLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin TFBGA T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS61LV25616AL-10BLI-TR 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: mBGA-48 4000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin TFBGA T/R | 当前型号 | |
型号: IS61LV25616AL-10BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: mBGA-48 500000B 3.3V 10ns 48Pin | 类似代替 | SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 3.135V 至 3.63V, Mini BGA, 48 引脚, 10 ns | IS61LV25616AL-10BLI-TR和IS61LV25616AL-10BLI的区别 | |
型号: IS61LV25616AL-10BI-TR 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 48-MBGA 4000000B 3.3V 10ns | 类似代替 | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin TFBGA T/R | IS61LV25616AL-10BLI-TR和IS61LV25616AL-10BI-TR的区别 |