IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

2Mb, High-Speed, Async, 128K x 16, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA 6x8 mm, RoHS

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 10ns 48-miniBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

贸泽:
SRAM 2M 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R

安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R

IS61WV12816DBLL-10BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61WV12816DBLL-10BLI-TR引脚图与封装图

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IS61WV12816DBLL-10BLI-TR	Integrated Silicon SolutionISSI	2Mb, High-Speed, Async, 128K x 16, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA 6x8 mm, RoHS	搜索库存