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IS43DR16160B-37CBL-TR

IS43DR16160B-37CBL-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


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IS43DR16160B 37CBL TR


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R


IS43DR16160B-37CBL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 500 ps

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43DR16160B-37CBL-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43DR16160B-37CBL-TR Integrated Silicon SolutionISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2 搜索库存
替代型号IS43DR16160B-37CBL-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43DR16160B-37CBL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 84-TFBGA

当前型号

DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2

当前型号

型号: IS43DR16160A-37CBL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

功能相似

256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 267MHz @ CL4, 84 Ball BGA 8mmx12.5mm , T&R

IS43DR16160B-37CBL-TR和IS43DR16160A-37CBL-TR的区别