IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS

PSRAM Pseudo SRAM Memory IC 32Mb 2M x 16 Parallel 70ns 48-TFBGA 6x8

得捷:
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA

立创商城:
IS66WVE2M16EBLL 70BLI

贸泽:
静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS

艾睿:
PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA

安富利:
PSRAM Async 32M-Bit 2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA

Verical:
PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 48-Pin TFBGA

IS66WVE2M16EBLL-70BLI中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS66WVE2M16EBLL-70BLI引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IS66WVE2M16EBLL-70BLI

型号	制造商	描述	购买
IS66WVE2M16EBLL-70BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA 6x8 mm, RoHS	搜索库存