IS42S16800E-7BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Win Source:
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TFBGA

IS42S16800E-7BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 130 mA

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16800E-7BLI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS42S16800E-7BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54	搜索库存

替代型号IS42S16800E-7BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS42S16800E-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TFBGA	当前型号	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54	当前型号
型号： IS42S16800E-7BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	完全替代	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54	IS42S16800E-7BLI和IS42S16800E-7BL的区别
型号： IS45S16800E-7BLA2 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TFBGA	完全替代	IC SDRAM 128Mbit 143MHz 54BGA	IS42S16800E-7BLI和IS45S16800E-7BLA2的区别
型号： IS42S16800F-7BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TFBGA	类似代替	128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS	IS42S16800E-7BLI和IS42S16800F-7BL的区别