IS61WV12816DBLL-10TLI-TR
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR中文资料参数规格
技术参数
位数 16
存取时间 10 ns
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
外形尺寸
封装 TSOP-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IS61WV12816DBLL-10TLI-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61WV12816DBLL-10TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/R | 搜索库存 |
替代型号IS61WV12816DBLL-10TLI-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61WV12816DBLL-10TLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-44 | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/R | 当前型号 |
| 型号： IS61WV12816DBLL-10TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II | 完全替代 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | IS61WV12816DBLL-10TLI-TR和IS61WV12816DBLL-10TLI的区别 |