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IS43R16800E-5TLI-TR

IS43R16800E-5TLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II T/R

SDRAM - DDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II


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IS43R16800E 5TLI TR


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DRAM 128M 8Mx16 200MHz DDR 2.5v


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DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R


IS43R16800E-5TLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43R16800E-5TLI-TR引脚图与封装图
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