IS42RM16200C-75BLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS42RM16200C-75BLI中文资料参数规格
技术参数
存取时间 6 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
封装参数
封装 TFBGA-54
外形尺寸
封装 TFBGA-54
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IS42RM16200C-75BLI引脚图与封装图
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在线购买IS42RM16200C-75BLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS42RM16200C-75BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT | 搜索库存 |
替代型号IS42RM16200C-75BLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS42RM16200C-75BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TFBGA | 当前型号 | 动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT | 当前型号 |
| 型号： IS42RM16200D-75BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： | 完全替代 | 32m, 2.5V, Mobile Sdram, 2mx16, 133MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It | IS42RM16200C-75BLI和IS42RM16200D-75BLI的区别 |
| 型号： IS42VM16200C-75BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-54 | 功能相似 | DRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT | IS42RM16200C-75BLI和IS42VM16200C-75BLI的区别 |
| 型号： IS42SM16200C-75BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： | 功能相似 | IC SDRAM 32Mbit 133MHz 54BGA | IS42RM16200C-75BLI和IS42SM16200C-75BLI的区别 |