IS61LV6416-10BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 48Pin Mini-BGA T/R

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 10ns 48-miniBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

贸泽:
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R

安富利:
SRAMs asynchronous

IS61LV6416-10BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 16

存取时间 10 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.63 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61LV6416-10BLI-TR引脚图与封装图

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