IS61LV6416-10TLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS61LV6416-10TLI中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
工作电压 3.3 V
供电电流 130 mA
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.63 V
电源电压Min 3.135 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
外形尺寸
封装 TSOP-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS61LV6416-10TLI引脚图与封装图
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在线购买IS61LV6416-10TLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61LV6416-10TLI | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44Pin TSOP-II | 搜索库存 |
替代型号IS61LV6416-10TLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61LV6416-10TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II 1000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44Pin TSOP-II | 当前型号 |
| 型号： IS61LV6416-10TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP 125000B 3.3V 10ns 44Pin | 类似代替 | INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LV6416-10TL. 芯片, 静态存储器SRAM 异步型 64k x16 | IS61LV6416-10TLI和IS61LV6416-10TL的区别 |
| 型号： IS61LV6416-10TI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP 1000000B 3.3V 10ns | 类似代替 | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 44Pin TSOP-II | IS61LV6416-10TLI和IS61LV6416-10TI的区别 |
| 型号： CY7C1021DV33-10ZSXI 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP-II 125000B 3.3V 44Pin | 功能相似 | RAM，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器） | IS61LV6416-10TLI和CY7C1021DV33-10ZSXI的区别 |