IS62C1024AL-35QLI-TR
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS62C1024AL-35QLI-TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
位数 8
存取时间 35 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 35 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOP-32
外形尺寸
封装 SOP-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS62C1024AL-35QLI-TR引脚图与封装图
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在线购买IS62C1024AL-35QLI-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS62C1024AL-35QLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v | 搜索库存 |
替代型号IS62C1024AL-35QLI-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS62C1024AL-35QLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOP 1000000B 5V 35ns | 当前型号 | 静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v | 当前型号 |
| 型号： IS62C1024AL-35QI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 1000000B 5V 35ns | 完全替代 | 静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v | IS62C1024AL-35QLI-TR和IS62C1024AL-35QI-TR的区别 |
| 型号： IS62C1024AL-35QLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOP 125000B 5V 35ns 32Pin | 类似代替 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | IS62C1024AL-35QLI-TR和IS62C1024AL-35QLI的区别 |
| 型号： IS62C1024AL-35QI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOP 125000B 5V 35ns 32Pin | 类似代替 | INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS62C1024AL-35QI IC, SRAM, 1Mbit, 128K x 8Bit, 35ns Access Time, 4.5V to 5.5V supply, SOP-32 | IS62C1024AL-35QLI-TR和IS62C1024AL-35QI的区别 |