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IS42S16100C1-6T

IS42S16100C1-6T

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 50-TSOP II


得捷:
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Win Source:
512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16-MBIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II


IS42S16100C1-6T中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

存取时间 6.00 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-50

外形尺寸

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IS42S16100C1-6T引脚图与封装图
IS42S16100C1-6T引脚图

IS42S16100C1-6T引脚图

IS42S16100C1-6T封装图

IS42S16100C1-6T封装图

IS42S16100C1-6T封装焊盘图

IS42S16100C1-6T封装焊盘图

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IS42S16100C1-6T Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II 搜索库存