IS42S16100E-6BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA T/R

IS42S16100E-6BL-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16100E-6BL-TR引脚图与封装图

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