IS42S16100E-5TL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 200MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 200MHz 5ns 50-TSOP II

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 200MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II

安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II

IS42S16100E-5TL中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 5ns, 6ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 50

封装 TSOP-50

外形尺寸

长度 21.08 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IS42S16100E-5TL引脚图与封装图

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