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IRS2609DSPBF

IRS2609DSPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 主动器件

半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA

**MOSFET & IGBT Gate Drivers, Half-Bridge, Infineon**

A range of High-Side and Low-Side Half-Bridge MOSFET & IGBT Gate Driver ICs from Infineon


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA


得捷:
HALF-BRIDGE DRIVER


艾睿:
Driver 0.35A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
Driver; Half-Bridge; 600V; 0.350A; SOIC


Verical:
Driver 0.35A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 8-Pin SOIC Tube


IRS2609DSPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

工作电压 10V ~ 20V

输出接口数 2

输出电压 620 V

输出电流 350 mA

耗散功率 625 mW

产品系列 IRS2609DSPBF

上升时间 220ns Max

下降时间 80ns Max

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRS2609DSPBF引脚图与封装图
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