IX2R11S3T/R

IXYS Semiconductor 主动器件

Driver 650V 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 16Pin SOIC T/R

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

贸泽:
Gate Drivers 2 Amps 35V 7.5 Rds

艾睿:
Driver 650V 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC T/R

IX2R11S3T/R中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 8ns, 7ns

输出接口数 2

耗散功率 1250 mW

上升时间 23 ns

下降时间 22 ns

下降时间Max 22 ns

上升时间Max 23 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 10V ~ 35V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

高度 2.35 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IX2R11S3T/R引脚图与封装图

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