IXDE509SIAT/R
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDE509SIAT/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
输出接口数 1
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 45 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压 4.5V ~ 30V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDE509SIAT/R引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXDE509SIAT/R | IXYS Semiconductor | Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |