IRF510A
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRF510A中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.60 A
上升时间 14 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF510A引脚图与封装图
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在线购买IRF510A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF510A | Fairchild 飞兆/仙童 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IRF510A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF510A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 5.6A 400mohms | 当前型号 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDPF3860T 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 100V 20A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF3860T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0291 ohm, 10 V, 2.5 V | IRF510A和FDPF3860T的区别 |