IRF640FP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1560pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRF640FP引脚图与封装图 
IRF640FP引脚图
IRF640FP封装图
IRF640FP封装焊盘图
在线购买IRF640FP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF640FP | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IRF640FP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF640FP 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 18A 180mohms | 当前型号 | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET | 当前型号 |