IXTF1N400
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 160W Tc
漏源极电压Vds 4000 V
连续漏极电流Ids 1A
输入电容Ciss 2530pF @25VVds
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
封装 i4-Pac
封装 i4-Pac
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free