IPD144N06NGBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD144N06NGBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1900pF @30VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 11 ns
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD144N06NGBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD144N06NGBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD144N06NGBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 60V 50A | 搜索库存 |
替代型号IPD144N06NGBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD144N06NGBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 50A | 当前型号 |
| 型号： IPD088N06N3 G 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel | 类似代替 | INFINEON IPD088N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V | IPD144N06NGBTMA1和IPD088N06N3 G的区别 |