IPI139N08N3GHKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 80V 45A

通孔 N 通道 80 V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

IPI139N08N3GHKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 79W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 45A

输入电容Ciss 1730pF @40VVds

额定功率Max 79 W

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI139N08N3GHKSA1引脚图与封装图

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