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IRF620B_FP001

IRF620B_FP001

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
IRF620B_FP001中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 800 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 47 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 390pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF620B_FP001引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF620B_FP001 Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3Pin3+Tab TO-220 Rail 搜索库存