IPB023N06N3GATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB023N06N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 214W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 140A
输入电容Ciss 16000pF @30VVds
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB023N06N3GATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB023N06N3GATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB023N06N3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 60V 140A | 搜索库存 |
替代型号IPB023N06N3GATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB023N06N3GATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 140A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 140A | 当前型号 |
| 型号： IPB017N06N3 G 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 类似代替 | INFINEON IPB017N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 1.3 mohm, 10 V, 3 V | IPB023N06N3GATMA1和IPB017N06N3 G的区别 |