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IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 100V 27A

表面贴装型 N 通道 27A(Tc) 58W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB34CN10NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 58W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 27A

输入电容Ciss 1570pF @50VVds

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB34CN10NGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB34CN10NGATMA1 Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 100V 27A 搜索库存
替代型号IPB34CN10NGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB34CN10NGATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 100V 27A

当前型号

D2PAK N-CH 100V 27A

当前型号

型号: IPB34CN10NG

品牌: 英飞凌

封装: N-Channel

功能相似

N-channel, normal level

IPB34CN10NGATMA1和IPB34CN10NG的区别