IXTP160N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP160N085T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP160N085T引脚图与封装图
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在线购买IXTP160N085T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP160N085T | IXYS Semiconductor | TO-220 N-CH 85V 160A | 搜索库存 |
替代型号IXTP160N085T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP160N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 85V 160A | 当前型号 | TO-220 N-CH 85V 160A | 当前型号 |
| 型号： IXTA160N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK N-CH 85V 160A | 功能相似 | D2PAK N-CH 85V 160A | IXTP160N085T和IXTA160N085T的区别 |
| 型号： IXTQ160N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P N-CH 85V 160A | 功能相似 | TO-3P N-CH 85V 160A | IXTP160N085T和IXTQ160N085T的区别 |