IPD053N06N3GBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 60V 90A

N-Channel 60V 90A Tc 115W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

IPD053N06N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 6600pF @30VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD053N06N3GBTMA1引脚图与封装图

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替代型号IPD053N06N3GBTMA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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