IPI60R600CPAKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 600V 6.1A

N-Channel 600V 6.1A Tc 60W Tc Through Hole PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

IPI60R600CPAKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 6.1A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 550pF @100VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPI60R600CPAKSA1引脚图与封装图

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替代型号IPI60R600CPAKSA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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