IXTQ250N075T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ250N075T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 550 W
漏源极电压Vds 75 V
输入电容Ciss 9900pF @25VVds
额定功率Max 550 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 550W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ250N075T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ250N075T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ250N075T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 250A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ250N075T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ250N075T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 75V 250A 3Pin3+Tab TO-3P | 当前型号 |
| 型号： IXTQ220N075T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P N-CH 75V 220A | 类似代替 | TO-3P N-CH 75V 220A | IXTQ250N075T和IXTQ220N075T的区别 |
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| 型号： IXTA230N075T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 功能相似 | Mosfet n-Ch 75V 230A To-263 | IXTQ250N075T和IXTA230N075T2的区别 |