IXTA70N085T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 176 W
漏源极电压Vds 85 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 2570pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 176W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTA70N085T | IXYS Semiconductor | D2PAK N-CH 85V 70A | 搜索库存 |