IXTV26N60PS
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTV26N60PS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 26.0 A
耗散功率 460 W
输入电容 4.15 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 15 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTV26N60PS引脚图与封装图
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在线购买IXTV26N60PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTV26N60PS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
替代型号IXTV26N60PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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