IXTQ180N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ180N085T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 430W Tc
漏源极电压Vds 85 V
输入电容Ciss 7500pF @25VVds
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ180N085T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ180N085T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ180N085T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 85V 180A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ180N085T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ180N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 85V 180A 3Pin3+Tab TO-3P | 当前型号 |
| 型号： IXTP180N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-CH 85V 180A | 类似代替 | TO-220 N-CH 85V 180A | IXTQ180N085T和IXTP180N085T的区别 |
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