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IXFV16N80PS

IXFV16N80PS

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

PLUS220 N-CH 800V 16A

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

Avalanche Rated

Features

Fast Recovery diode

Unclamped Inductive Switching UIS rated

International standard packages

Low package inductance

\- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density


得捷:
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS-220SMD


贸泽:
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab PLUS220 SMD


IXFV16N80PS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 460 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 4600pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PLUS-220-SMD-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 15 mm

高度 4.7 mm

封装 PLUS-220-SMD-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFV16N80PS引脚图与封装图
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