额定电压DC 100 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR130ATM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR130ATM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: DPAK N-Channel 100V 13A 110mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRFR130A 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFR130ATM和IRFR130A的区别 | |
型号: IRFR130ATF 品牌: 飞兆/仙童 封装: DPAK N-Channel 100V 13A 110mohms | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRFR130ATM和IRFR130ATF的区别 |