IXTF230N085T

IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 85V 110A

N-Channel 85V 130A Tc 200W Tc Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC

贸泽:
MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 110A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

IXTF230N085T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 85 V

漏源击穿电压 85 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 9900pF @25VVds

下降时间 39 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-i4-PAK-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-i4-PAK-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTF230N085T引脚图与封装图

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