IXTA200N085T7
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 85 V
连续漏极电流Ids 200A
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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