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IXTA200N085T7

IXTA200N085T7

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

D2PAK N-CH 85V 200A

N-Channel 85V 200A Tc Surface Mount TO-263-7 IXTA..7


得捷:
MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 200A 7-Pin6+Tab D2PAK


IXTA200N085T7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 480W Tc

漏源极电压Vds 85 V

连续漏极电流Ids 200A

输入电容Ciss 7600pF @25VVds

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA200N085T7引脚图与封装图
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