额定功率 2.5 W
漏源极电阻 79 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7492
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
输入电容Ciss 1820pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7492PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8Pin SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7492PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 200V 3.7A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8Pin SOIC | 当前型号 | |
型号: NDS8425 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 20V 7.4A 15mohms | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IRF7492PBF和NDS8425的区别 |