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IRLR210ATM

IRLR210ATM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 200V 2.7A

N-Channel 200V 2.7A Tc 2.5W Ta, 21W Tc Surface Mount TO-252AA


立创商城:
N沟道 200V 2.7A


得捷:
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IRLR210ATM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 2.70 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 21W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

输入电容Ciss 240pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 21W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRLR210ATM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR210ATM Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 200V 2.7A 搜索库存
替代型号IRLR210ATM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR210ATM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 2.7A 1.5ohms

当前型号

N沟道 200V 2.7A

当前型号

型号: BSP297

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 200V 600mA

功能相似

INFINEON  BSP297  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V

IRLR210ATM和BSP297的区别

型号: FDD7N20TM

品牌: 安森美

封装: TO-252

功能相似

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

IRLR210ATM和FDD7N20TM的区别

型号: BSP297L6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 60V 200mA 45pF

功能相似

Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327

IRLR210ATM和BSP297L6327的区别