IXFV22N50PS
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV22N50PS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350W Tc
输入电容 2.63 nF
栅电荷 50.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
输入电容Ciss 2630pF @25VVds
耗散功率Max 350W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLUS-220SMD
外形尺寸
封装 PLUS-220SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV22N50PS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFV22N50PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV22N50PS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
替代型号IXFV22N50PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV22N50PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS-220SMD N-Channel 500V 22A 270mohms 2.63nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 当前型号 |
| 型号： IXTV22N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： 500V 22A 2.63nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXFV22N50PS和IXTV22N50P的区别 |
| 型号： IXTV22N50PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： 500V 22A 2.63nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | IXFV22N50PS和IXTV22N50PS的区别 |
| 型号： IXTH22N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 | 类似代替 | N沟道 500V 22A | IXFV22N50PS和IXTH22N50P的区别 |