IXTA182N055T7
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA182N055T7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 4850pF @25VVds
额定功率Max 360 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA182N055T7引脚图与封装图
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在线购买IXTA182N055T7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA182N055T7 | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 | 搜索库存 |
替代型号IXTA182N055T7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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